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4)停止光刻，将须要的波导图形用光刻胶掩护起来，如（e）所示；5)接纳反映离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导地区刻蚀掉，如（f）所示；6)去掉光刻胶，接纳FHD或CVD工艺，在波导芯层上再笼盖一层SiO2，此中搀杂磷、硼离子，作为波导上包层，如（g）所示；7)经由过程退火软化工艺，使上包层SiO2变得致密平均，如（h）所示。
二氧化硅波导工艺中的几个关头点：1)资料发展和退火软化工艺，要使每层资料的厚度和折射率平均且精确，以到达设想的波导布局参数，尽可能削减资料外部的残留应力，以下降波导的双折射效应；2)RIE刻蚀工艺，要获得陡直且滑腻的波导侧壁，以下降波导的散射消耗；3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要节制Undercut量的不变性，作为布版设想时的弥补根据。巴中大型菠菜
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